ING0172 - FONDAMENTI DI ELETTRONICA

insegnamento
Tipo Insegnamento:
Ins. uff. con erogazioni e cop.
Durata (ore):
90
CFU:
9
SSD:
ELETTRONICA
Sede:
BRESCIA
Url:
INGEGNERIA DELLE TECNOLOGIE PER L'IMPRESA DIGITALE/comune Anno: 3
INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE TELECOMUNICAZIONI/comune Anno: 2
Anno:
2025
Course Catalogue:
https://permalink.unibs.it/suacds/afcc/2025?corso=...

Dati Generali

Periodo di attività

Secondo Semestre (16/02/2026 - 05/06/2026)

Syllabus

Obiettivi Formativi

Il corso si rivolge a studenti che si avvicinano ai fondamenti dell'elettronica.
Il corso ha lo scopo di fornire le conoscenze riguardanti le caratteristiche elettriche dei dispositivi elettronici e il loro utilizzo in semplici circuiti, con particolare riferimento a diodi a stato solido, transistori bipolari a giunzione, transistori ad effetto di campo ed amplificatori operazionali. Al termine del corso lo studente dovrà essere in grado di analizzare e progettare elementari stadi di amplificazione, elementari circuiti analogici lineari e non lineari.

Prerequisiti

Conoscenze di teoria dei circuiti elettrici.

Metodi didattici

Il corso si svolge mediante lezioni teoriche ed esercitazioni in aula e tramite esercitazioni pratiche in laboratorio.

Verifica Apprendimento

La prova d'esame consiste in una prova scritta relativa agli argomenti del corso.

Testi

Testi consigliati:
J. Millman, A. Grabel, Microelettronica, McGraw-Hill.

S. Franco: Design with Oprational Amplifiers and analog integrated circuits, McGraw-Hill (International Edition)

Parte del materiale didattico e di ausilio per le esercitazioni di laboratorio sarà resa disponibile online tramite pagina web.

Contenuti

Il corso si compone di 4 sezioni principali:

1) Cenni ai semiconduttori, alle giunzioni pn e metallo-semiconduttore. Diodi a stato solido. Verranno illustrate le caratteristiche elettriche, i modelli circuitali per grandi segnali, e le applicazioni dei dispositivi in circuiti semplici.

2) Transistore bipolare a giunzione (BJT). Verranno illustrate le caratteristiche elettriche dei transistori bipolari a giunzione, ed i modelli circuitali per grandi e piccoli segnali. Verranno inoltre descritti il comportamento su grandi segnali del dispositivo e la realizzazione di amplificatori a singolo stadio.

3) Transistore ad effetto di campo (MOS). Verranno illustrate le caratteristiche elettriche dei transistori ad effetto di campo, ed i modelli circuitali per grandi e piccoli segnali. Verranno inoltre descritti il comportamento su grandi segnali del dispositivo e la realizzazione di amplificatori a singolo stadio.

4) Amplificatori operazionali. Verranno illustrate le caratteristiche elettriche dei dispositivi ideali. Concetti di base della retroazione. Non idealità e limitazioni pratiche degli amplificatori operazionali. Verranno inoltre descritte e analizzate le applicazioni lineari e non lineari degli amplificatori operazionali.

Lingua Insegnamento

Italiano

Altre informazioni

Nessuna informazione aggiuntiva.

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